Descrizione
MOSFET UniFET™, Fairchild Semiconductor
Il MOSFET UniFET™ è una famiglia di MOSFET ad alta tensione di Fairchild Semiconductor.
Presenta la più piccola resistenza in stato attivo fra i MOSFET planari e fornisce
inoltre eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore resistenza all'energia
dell'effetto valanga. Inoltre, il diodo ESD gate-sorgente interno consente al MOSFET
UniFET-II™ di sopportare sollecitazioni da sovratensioni HBM di oltre 2000
V.
I MOSFET UniFET™ sono adatti per
le applicazioni con convertitori di potenza switching, come la correzione del fattore
di potenza (PFC), alimentazione TV di display a schermo piatto (FPD), ATX (Advanced
Technology eXtended) e resistenze elettroniche per lampade.
Transistor MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild offre un portfolio consistente di dispositivi MOSFET che include tipi
ad alta tensione (>250 V) e bassa tensione (<250 V). L'avanzata tecnologia
al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi
contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
I
MOSFET Fairchild offrono una maggiore affidabilità del design che si estende da
sovratensioni e picchi di tensione ridotti, a una minore capacità di giunzione e
carica di recupero inverso, all'eliminazione di ulteriori componenti esterni per
mantenere i sistemi aggiornati e prolungarne il funzionamento.
Caratteristiche
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